ويقول البروفيسورألكسندر غودوفسكيخ، المشرف على الدراسة، "تسمح التكنولوجيا المبتكرة، برفع كفاءة الخلايا الشمسية إلى مستوى قياسي. وهذه التكنولوجيا تعتمد على استخدام ركائز سيليكونية تم تشكيلها بدرجات حرارة منخفضة نسبيا".
وأضاف موضحا، يكمن اختلاف هذه الطريقة عن الطرق السابقة، في أن نمو طبقة النواة يتم بطريقة ترسيب الطبقة الذرية للبلازما الكيميائية في درجات حرارة منخفضة نسبيًا ، يتبعه النمو الفوقي لاحقا استنادًا إلى هياكل بحجم A3B5 الكمي باستخدام طريقة MOCVD hydride epitaxy.
ويضيف البروفيسور غودوفسكيخ، الطرق الحالية لإنشاء الخلايا الضوئية تتطلب معالجة الركائز السليكونية بدرجة حرارة 900-1000 درجة مئوية في بداية مرحلة النمو، للتخلص من الأكسيد وإعادة بناء السطح، ما يؤدي لاحقا إلى تقليص مدة خدمتها. أما في الطريقة الجديدة، فنقترح تخفيض درجة حرارة النمو الفوقي إلى 600-750 درجة مئوية. ومن ثم تكوين هياكل GaP / Si مع طبقة نواة GaP بواسطة ترسيب الطبقة الذرية للبلازما الكيميائية في درجة حرارة 380 درجة مئوية.
وقد نشرت نتائج الدراسة كاملة في مجلة Physica Status Solidi (a) – applications and materials science
المصدر: نوفوستي
